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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [2]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2003 [1]
2002 [1]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
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First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:35/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Easy axis reorientation and magneto-crystalline anisotropic resistance of tensile strained (Ga,Mn)As films
期刊论文
journal of magnetism and magnetic materials, 2010, 卷号: 322, 期号: 21, 页码: 3250-3254
Chen L (Chen L.)
;
Yan S (Yan S.)
;
Xu PF (Xu P. F.)
;
Lu J (Lu J.)
;
Deng JJ (Deng J. J.)
;
Ji Y (Ji Y.)
;
Wang KY (Wang K. Y.)
;
Zhao JH (Zhao J. H.)
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浏览/下载:92/4
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提交时间:2010/09/07
Magnetic semiconductor
Magnetic anisotropy
Magneto-transport phenomenon
Molecular-beam epitaxy
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902
Chen YH
;
Li C
;
Zhou ZW
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu YD
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浏览/下载:93/14
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提交时间:2010/03/08
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
Direct observation of coherent spin transfer processes in an InGaAs/GaAs quantum well via two-color time-resolved Kerr rotation measurements
期刊论文
semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: art. no. 075021
Ruan, XZ
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Yang, W
;
Zhao, JH
;
Xu, ZY
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浏览/下载:56/4
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提交时间:2010/03/08
PHOTONIC CRYSTAL FIBER
SELF-PHASE-MODULATION
SEMICONDUCTOR SPINTRONICS
CONTINUUM GENERATION
SAPPHIRE LASERS
OPTICAL-FIBERS
SPECTROSCOPY
HETEROSTRUCTURES
SYNCHRONIZATION
TEMPERATURE
Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553
Munoz M
;
Huang YS
;
Pollak FH
;
Yang H
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HEXAGONAL GAN
TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
TRANSITIONS
GROWTH
GAIN
ALN
ELLIPSOMETRY
WURTZITE
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 20, 页码: 3795-3797
Luo XD
;
Hu CY
;
Xu ZY
;
Luo HL
;
Wang YQ
;
Wang JN
;
Ge WK
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
BAND ALIGNMENT
GAAS
DOTS
LASERS
OPERATION
OFFSETS
Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
Luo XD
;
Xu ZY
;
Sun BQ
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Ge WK
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
GaNAs
photoluminescence
band offset
band bowing coefficient
localized exciton
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALLOYS
TEMPERATURE
GAASN
BAND-STRUCTURE OF MG1-XZNXSYSE1-Y
期刊论文
semiconductor science and technology, 1994, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 349-355
TEO KL
;
FENG YP
;
LI MF
;
CHONG TC
;
XIA JB
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
QUANTUM-WELL STRUCTURES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRON CORRELATION
GAAS SUBSTRATE
SEMICONDUCTORS
ZNSE
ZNMGSSE
GROWTH
MASSES
GAP
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