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科研机构
半导体研究所 [8]
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期刊论文 [8]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2002 [1]
2000 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
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浏览/下载:218/56
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提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Electron irradiation induced defects in high temperature annealed InP single crystal
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1603-1607
Wang B (Wang Bo)
;
Zhao YW (Zhao You-Wen)
;
Dong ZY (Dong Zhi-Yuan)
;
Deng AH (Deng Ai-Hong)
;
Miao SS (Miao Shan-Shan)
;
Yang J (Yang Jun)
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/29
InP
Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs
期刊论文
physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505
Li J
;
Carrier P
;
Wei SH
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/04/11
DILUTED GANXAS1-X ALLOYS
GROUP-IV DONORS
SEMICONDUCTOR ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
BAND
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
HYDROGEN
Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931
Zhao YW
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
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浏览/下载:97/7
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提交时间:2010/08/12
indium phosphide
annealing
semi-insulating
defect
diffusion
ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP
SEMIINSULATING INP
PHOTO-LUMINESCENCE
INDIUM-PHOSPHIDE
UNDOPED INP
PHOTOLUMINESCENCE
CRYSTALS
PRESSURE
Room-temperature optical transitions in Mg-doped cubic GaN/GaAs(100) grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 4, 页码: 2064-2066
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
GAN FILMS
Compensation ratio-dependent concentration of a VInH4 complex in n-type liquid encapsulated Czochralski InP
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 9, 页码: 1275-1277
Fung S
;
Zhao YW
;
Beling CD
;
Xu XL
;
Gong M
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Chen XD
;
Zhang RG
;
Liu SL
;
Yang GY
;
Qian JJ
;
Sun MF
;
Liu XL
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
SEMICONDUCTORS
HYDROGEN
DEFECTS
MECHANISM
IDENTIFICATION OF THE ENERGY-LEVELS OF SI-RH
期刊论文
journal of applied physics, 1991, 卷号: 69, 期号: 4, 页码: 2251-2255
ZHOU J
;
WU JA
;
LU LW
;
HAN ZY
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/15
SILICON
IMPURITIES
DEFECT
ELECTRONIC-PROPERTIES OF AN ELECTRON-ATTRACTIVE COMPLEX NEUTRAL DEFECT IN GAAS
期刊论文
physical review b, 1986, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 4424-4427
MONEMAR B
;
GISLASON HP
;
CHEN WM
;
WANG ZG
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
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