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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MOCVD growth of InN using a GaN buffer 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85 作者:  Yang H;  Wang LL;  Wang H;  Yang H;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：53/1  |  提交时间：2010/03/08 surface   Effect of arsenic precipitates on Fermi level in GaAs grown by molecular-beam epitaxy at low temperature 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 6, 页码: 2923-2925 Chen YH; Wang ZG; Yang Z 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY  200-DEGREES-C  ABSORPTION  DEFECTS