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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2010 [2]
2009 [1]
2002 [1]
2001 [2]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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First-principles study of UC2 and U2C3
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 396, 期号: 2-3, 页码: 218-222
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Wang BT (Wang Baotian)
;
Sun B (Sun Bo)
收藏
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浏览/下载:78/12
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提交时间:2010/04/21
First-principle calculation
GGA plus U
Elastic constants
Chemical bonding
Valence state
BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS
CARBIDES
SPECTRA
METALS
Mechanical and chemical bonding properties of ground state BeH2
期刊论文
european physical journal b, 2010, 卷号: 74, 期号: 3, 页码: 303-308
Wang BT
;
Zhang P
;
Shi HL
;
Sun B
;
Li WD
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/28
BERYLLIUM HYDRIDE
AB-INITIO
MGH2
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:
Wang Y
;
Pan JQ
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浏览/下载:113/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
WAVE-GUIDE CIRCUIT
DOUBLE HETEROSTRUCTURES
SILICON SUBSTRATE
CW OPERATION
WAFER
DEVICES
FILMS
Microstructure of a-SiOx : H
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328
Wang YQ
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Cheng WC
;
Li GH
;
Chen CY
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Chen WD
;
Kong GL
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
a-SiOx : H
microstructure
bonding configuration
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
ELECTRONIC-PROPERTIES
SIO2/SI INTERFACE
OXYGEN
FILMS
VIBRATIONS
ALLOYS
SYSTEM
Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985
Liao MY
;
Qin FG
;
Zhang JH
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Lee ST
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
BIAS-ENHANCED NUCLEATION
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
BEAM DEPOSITION
MECHANISM
SILICON
SPECTROSCOPY
The microstructure and its high-temperature annealing behaviours of a-Si : O : H film
期刊论文
acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418-2422
Wang YQ
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Yang FH
;
Diao HW
收藏
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浏览/下载:82/6
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提交时间:2010/08/12
a-Si : O : H
nc-Si
microstructure
annealing
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS SIO2
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON
Study of microstructure of high stability hydrogenated amorphous silicon films by Raman scattering and infrared absorption spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 3, 页码: 336-338
Sheng SR
;
Liao XB
;
Kong GL
;
Han HX
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/08/12
A-SI-H
CRYSTALLINE SILICON
DEPOSITION
SPECTRA
QUALITY
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