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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204 Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li JB (Li Jingbo); Li SS (Li Shu-Shen); Peng HW (Peng Haowei); Xia JB (Xia Jian-Bai); Wang LW (Wang Lin-Wang); Wei SH (Wei Su-Huai) 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/12/27 IMPURITIES  GAAS1-XNX  NITROGEN  GAINNAS  STATES  TRAPS   Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403 作者:  Li JB;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：67/11  |  提交时间：2010/03/08 N-TYPE GAN  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  DEFECTS  THERMOLUMINESCENCE  CARBON  TRAP   Electroluminescence afterglow from indium tin oxide/Si-rich SiO2/p-Si structure 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1306-1309 Wang XX; Zhang JG; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11 SILICON NANOCRYSTALS  SI  PHOTOLUMINESCENCE  EVOLUTION   Quantum trajectory analysis for electrical detection of single-electron spin resonance 期刊论文 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 12, 页码: art.no.125312 Jin J; Guo J; Luo J; Li XQ; Yan Y 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/04/11 FORCE MICROSCOPY  DOT   Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：145/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  NITROGEN  LUMINESCENCE  PRESSURE  STATES  ENERGY