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Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires 期刊论文
acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：63/1  |  提交时间：2010/04/22
Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy 期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1
Wei, TB; Duan, RF; Wang, JX; Li, JM; Huo, ZQ; Yang, JK; Zeng, YP
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08
Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation 期刊论文
high energy physics and nuclear physics-chinese edition, 2005, 卷号: 29, 期号: suppl.s, 页码: 37-39
Chen J; Wang JF; Zhang JC; Wang H; Huang Y; Wang YT; Yang H; Jia QJ
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11
Cubic-phase GaN light-emitting diodes 期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 17, 页码: 2498-2500
作者:  Han PD
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12
Transmission electron microscopy study of triple-ribbon contrast features in a ZnTe epitaxial layer 期刊论文
philosophical magazine letters, 1998, 卷号: 78, 期号: 3, 页码: 203-211
作者:  Han PD
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12
ELECTRON-STATES OF A VACANCY IN THE CORE OF THE 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION IN SILICON 期刊论文
physica status solidi b-basic research, 1995, 卷号: 189, 期号: 2, 页码: 473-477
MARKLUND S; WANG YL
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/17

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