QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：144/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  NITROGEN  LUMINESCENCE  PRESSURE  STATES  ENERGY   Structural, optical and intraband absorption properties of vertically aligned In0.32Ga0.68As/GaAs quantum dots superlattices 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2001, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 384-390 Zhuang QD; Yoon SF; Li HX; Li JM; Zeng YP; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：94/7  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  superlattice  vertical alignment  photoluminescence  infrared absorption  INFRARED PHOTODETECTORS  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  SPECTROSCOPY  DETECTOR   Interference effects in differential reflectance spectra of the GaAs epilayers grown on Si substrate 期刊论文 journal of applied physics, 1998, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 6466-6468 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 SEMICONDUCTORS  SPECTROSCOPY   ESTIMATION OF THE STRAIN STATE OF GEXSI1-X/SI STRAINED-LAYER SUPERLATTICES BY DOUBLE-CRYSTAL X-RAY-DIFFRACTION 期刊论文 journal of crystal growth, 1994, 卷号: 141, 期号: 0, 页码: 103-108 DUAN XF; FUNG KK; CHU YM 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/15 BEAM ELECTRON-DIFFRACTION  EPITAXIAL LAYERS