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半导体研究所 [11]
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期刊论文 [10]
会议论文 [1]
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2016 [1]
2011 [1]
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学科主题
半导体物理 [11]
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学科主题:半导体物理
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In-plane Schottky-barrier field-effect transistors based on 1T/2H heterojunctions of transition-metal dichalcogenides
期刊论文
Physical Review B, 2017, 卷号: 96, 期号: 16, 页码: 165402
作者:
Zhi-Qiang Fan
;
Xiang-Wei Jiang
;
Jun-Wei Luo
;
Li-Ying Jiao
;
Ru Huang
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2018/06/15
Tunable Schottky Barrier at MoSe2/Metal Interfaces with a Buffer Layer
期刊论文
The Journal of Physical Chemistry C, 2017, 卷号: 121, 页码: 9305−9311
作者:
Le Huang
;
Bo Li
;
Mianzeng Zhong
;
Zhongming Wei
;
Jingbo Li
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2018/06/15
Schottky barrier heights at the interfaces between pure-phase InAs nanowires and metal contacts
期刊论文
journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 5, 页码: 054304
Boyong Feng
;
Shaoyun Huang
;
Jiyin Wang
;
Dong Pan
;
Jianghua Zhao
;
H. Q. Xu
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/03/16
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:72/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Duan LH (Duan Li-Hong)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:138/40
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提交时间:2010/03/08
GaN
Photoelectric characteristics of metal/InGaN/GaN heterojunction structure
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165108
Sun, X
;
Liu, WB
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Zhang, S
;
Wang, LL
;
Wang, H
;
Zhu, JJ
;
Duan, LH
;
Wang, YT
;
Zhao, DG
;
Zhang, SM
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2010/03/08
FUNDAMENTAL-BAND GAP
IN1-XGAXN ALLOYS
INN
Electric tunable of electron spin polarization in hybrid magnetic-electric barrier structures
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 40, 页码: 6216-6220
Xu, HZ
;
Yan, Q
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/03/08
Spin-dependent transport
Spin polarization
Electric manipulation
Spin filter
Tunable spin transport in magnetic-electric superlattice
期刊论文
physics letters a, 2006, 卷号: 358, 期号: 5-6, 页码: 470-473
Wei JS (Wei J. S.)
;
Wang RZ (Wang R. Z.)
;
Yuan RY (Yuan R. Y.)
;
Song XM (Song X. M.)
;
Wang B (Wang B.)
;
Yan H (Yan H.)
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/04/11
spin transport
superlattice
tunable magnetic-electric
ROOM-TEMPERATURE
BARRIERS
CONDUCTANCE
GAS
Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
会议论文
1st international symposium on point defect and stoichiometry, sendai, japan, mar 20-22, 2003
Leung BH
;
Fong WK
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/10/29
GaN
low-frequency noise
deep levels
deep level transient Fourier spectroscopy
DEVICES
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