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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2008 [1]
2003 [1]
2002 [1]
1999 [1]
学科主题
半导体物理 [4]
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学科主题:半导体物理
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Structural properties of ne implanted GaN
期刊论文
physica scripta, 2008, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: art. no. 035601
作者:
Zhu JJ
;
Yang H
;
Liu W
;
Liu W
;
Lu GJ
收藏
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浏览/下载:47/2
  |  
提交时间:2010/03/08
RAMAN-SCATTERING
Structural and optical properties of strain-compensated GaAsSb/GaAs quantum wells with high Sb composition
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 20, 页码: 4149-4151
作者:
Jiang DS
;
Zhang YH
收藏
  |  
浏览/下载:185/0
  |  
提交时间:2010/08/12
1.3-MU-M VCSELS
GAAS
SUPERLATTICES
Getting high-efficiency photoluminescence from Si nanocrystals in SiO2 matrix
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 22, 页码: 4174-4176
Wang YQ
;
Kong GL
;
Chen WD
;
Diao HW
;
Chen CY
;
Zhang SB
;
Liao XB
收藏
  |  
浏览/下载:63/0
  |  
提交时间:2010/08/12
VISIBLE-LIGHT EMISSION
POROUS SILICON
QUANTUM CONFINEMENT
SUPERLATTICES
LUMINESCENCE
FABRICATION
RECRYSTALLIZATION
Structural and optical properties of self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs (311) A substrate
期刊论文
acta physica sinica, 1999, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 1541-1546
作者:
Xu B
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/08/12
THERMAL-ACTIVATION
LOCALIZED EXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
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