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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2009 [1]
2003 [1]
2001 [1]
1998 [1]
1997 [1]
1991 [2]
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学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
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浏览/下载:193/43
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提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
Dose rate dependence of electrical characteristics of lead zirconate titanate capacitors
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6491-6495
Zhang GQ
;
Sun P
;
Zou Q
;
Mei X
;
Ruda HE
;
Gu Q
;
Yu XF
;
Ren DY
;
Yan RL
收藏
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浏览/下载:1273/12
  |  
提交时间:2010/08/12
ionizing radiation
dose rate
PZT
dielectric constant
coercive field
C-V curves
remanent polarization
FERROELECTRIC PZT CAPACITORS
IONIZING-RADIATION
BORDER TRAPS
TRANSISTORS
DEGRADATION
MECHANISMS
MEMORIES
VOLTAGE
DEVICES
RAY
Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on electronic and optical properties of wurtzite III-V nitride quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6210-6216
Wan SP
;
Xia JB
;
Chang K
收藏
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浏览/下载:123/9
  |  
提交时间:2010/08/12
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RECOMBINATION DYNAMICS
WIDTH DEPENDENCE
GAN
EXCITONS
ABSORPTION
SPECTRA
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
CONSTANTS
Formation, structure and fluorescence of CdS clusters in a mesoporous zeolite
期刊论文
solid state communications, 1998, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: 129-134
Chen W
;
Xu Y
;
Lin ZJ
;
Wang ZG
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
SEMICONDUCTOR MICROCRYSTALS
OPTICAL-PROPERTIES
PHOTOCHEMISTRY
LUMINESCENCE
PARTICLES
EXCITONS
SPECTRA
Electronic, structural, and optical properties of crystalline yttria
期刊论文
physical review b, 1997, 卷号: 56, 期号: 23, 页码: 14993-15000
Xu YN
;
Gu ZQ
;
Ching WY
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
POINT-DEFECTS
OXIDE
Y2O3
ALPHA-AL2O3
NITRIDE
1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS FOR QUASI-PARTICLE ENERGIES OF GAP AND GAAS
期刊论文
physical review b, 1991, 卷号: 44, 期号: 16, 页码: 8707-8712
WANG JQ
;
GU ZQ
;
LI MF
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/15
EXCHANGE-CORRELATION POTENTIALS
DENSITY-FUNCTIONAL THEORY
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
STRUCTURAL-PROPERTIES
ELECTRON
SILICON
PSEUDOPOTENTIALS
DISCONTINUITY
APPROXIMATION
INSULATORS
1ST PRINCIPLE CALCULATIONS OF QUASI-PARTICLE ENERGIES FOR BAND STRUCTURES OF SEMICONDUCTORS
期刊论文
communications in theoretical physics, 1991, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: 169-194
WANG JQ
;
GU ZQ
;
WANG BS
;
LI MF
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/15
NORM-CONSERVING PSEUDOPOTENTIALS
ANGLE-RESOLVED PHOTOEMISSION
DENSITY-FUNCTIONAL THEORY
GROUND-STATE
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
CRYSTALLINE SILICON
ELECTRON
SI
INSULATORS
GAAS
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