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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2007 [1]
2003 [1]
1994 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
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A comparison between AlN films grown by MOCVD using dimethylethylamine alane and trimethylaluminium as the aluminium precursors
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 516-518
Hu, WG (Hu Wei-Guo)
;
Liu, XL (Liu Xiang-Lin)
;
Zhang, PF (Zhang Pan-Feng)
;
Zhao, FA (Zhao Feng-Ai)
;
Jiao, CM (Jiao Chun-Mei)
;
Wei, HY (Wei Hong-Yuan)
;
Zhang, RQ (Zhang Ri-Qing)
;
Wu, JJ (Wu Jie-Jun)
;
Cong, GW (Cong Guang-Wei)
;
Pan, Y (Pan Yi)
收藏
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
RBS/channeling study and photoluminscence properties of Er-implanted GaN
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2558-2562
Song SF
;
Zhou SQ
;
Chen WD
;
Zhu JJ
;
Chen CY
;
Xu ZJ
收藏
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浏览/下载:235/3
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提交时间:2010/08/12
GaN
erbium
Raman back scattering
photoluminscence
DOPED GAN
ERBIUM
PHOTOLUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE
DETERMINATION OF SURFACE-ROUGHNESS OF INP (001) WAFERS BY X-RAY-SCATTERING
期刊论文
journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 7, 页码: 4154-4158
CUI SF
;
LI JH
;
LI M
;
LI CR
;
GU YS
;
MAI ZH
;
WANG YT
;
ZHUANG Y
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/15
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