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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2006 [1]
2002 [1]
2001 [2]
2000 [1]
1998 [1]
1992 [1]
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学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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Enhancement of photoluminescence intensity of GaInNAs/GaAs quantum wells by two-step rapid thermal annealing
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2579-2582
Zhao H (Zhao Huan)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Han Q (Han Qin)
;
Wu RH (Wu Rong-Han)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
ORIGIN
Impact of polarization on quasi-two-dimensional exciton and barrier-width dependence of the exciton associated transition in wurtzite III-V nitride quantum wells
期刊论文
solid state communications, 2002, 卷号: 122, 期号: 5, 页码: 287-292
Wan SP
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
quantum wells
semiconductors
piezoelectricity
optical properties
OPTICAL-ABSORPTION
GAN
HETEROSTRUCTURES
SPECTROSCOPY
CONSTANTS
ENERGIES
LIFETIME
SPECTRA
FIELDS
INN
Thermal redistribution of localized excitons and its effect on the luminescence band in InGaN ternary alloys
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 12, 页码: 1810-1812
Li Q
;
Xu SJ
;
Cheng WC
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Che CM
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:79/7
  |  
提交时间:2010/08/12
QUANTUM DOTS
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
ACTIVATION
DIODES
Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511
Sheng SR
;
Liao XB
;
Kong GL
收藏
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浏览/下载:104/17
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提交时间:2010/08/12
CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD
A-SI-H
ABSORPTION
FILMS
SPECTROSCOPY
DEPOSITION
STABILITY
DILUTION
Quantum-confinement-effect-driven type-I-type-II transition in inhomogeneous quantum dot structures
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 7, 页码: 4743-4747
Kai C
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
SUPERLATTICES
CDS/HGS/CDS
WELL
FILMS
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
期刊论文
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2010/08/12
diffusion
implantation
Ge ion
BF2 ion
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
ELECTRICAL-PROPERTIES
INTERVALLEY GAMMA-CHI DEFORMATION POTENTIALS IN III-V ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS BY ABINITIO PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS
期刊论文
physical review b, 1992, 卷号: 46, 期号: 19, 页码: 12358-12364
WANG JQ
;
GU ZQ
;
LI MF
;
LAI WY
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/15
LATTICE-DYNAMICAL PROPERTIES
SCATTERING RATES
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE-DEPENDENCE
GALLIUM-PHOSPHIDE
ELECTRON-PHONON
GAAS
SPECTROSCOPY
POINTS
ZONE
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