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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902 Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD 收藏  |  浏览/下载：93/14  |  提交时间：2010/03/08 chemical vapour deposition  elemental semiconductors  energy gap  germanium  Ge-Si alloys  photoluminescence  semiconductor epitaxial layers  semiconductor quantum wells  silicon  tensile strength   Synthesis and characterization of ZnO nanoflowers grown on AIN films by solution deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 640-643 Gao, HY; Yan, FW; Zhang, Y; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：51/4  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NANORODS  MECHANISM  NANOWIRES   Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-TYPE ZNO  OPTICAL-PROPERTIES  EXCITON FORMATION  PHOTOLUMINESCENCE  FILMS  SPECTROSCOPY  DYNAMICS  IMPURITY  ENERGY   Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985 Liao MY; Qin FG; Zhang JH; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 BIAS-ENHANCED NUCLEATION  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BEAM DEPOSITION  MECHANISM  SILICON  SPECTROSCOPY   Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  NITRIDE SEMICONDUCTORS  STRESS