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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical properties of UO2 and PuO2 期刊论文 journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 400, 期号: 2, 页码: 151-156 Shi HL (Shi Hongliang); Chu MF (Chu Mingfu); Zhang P (Zhang Ping) 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/06/18 ELECTRONIC-STRUCTURE  URANIUM-DIOXIDE  POINT-DEFECTS  PHOTOEMISSION  ENERGY  APPROXIMATION  ENERGETICS  PLUTONIUM  CRYSTAL  SPECTRA   Photovoltaic effect of tin disulfide with nanocrystalline/amorphous blended phases 期刊论文 solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 1-2, 页码: 58-61 Tan FR (Tan Furui); Qu SC (Qu Shengchun); Zeng XB (Zeng Xiangbo); Zhang CS (Zhang Changsha); Shi MJ (Shi Mingji); Wang ZJ (Wang Zhijie); Jin L (Jin Lan); Bi Y (Bi Yu); Cao J (Cao Jie); Wang ZG (Wang, Zhanguo); Hou YB (Hou Yanbing); Teng F (Teng Feng); Feng ZH (Feng, Zhihui) 收藏  |  浏览/下载：180/45  |  提交时间：2010/03/08 Nanocrystalline   High responsivity resonant-cavity-enhanced InGaAs/GaAs quantum-dot photodetector for wavelength of similar to 1 mu m at room temperature 期刊论文 electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 329-330 作者:  Zhu H;  Liu J 收藏  |  浏览/下载：253/78  |  提交时间：2010/03/08 PHOTODIODE   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：104/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION