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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [9]
发表日期
2016 [2]
2015 [1]
2010 [1]
2009 [2]
2008 [2]
1996 [1]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
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Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2p–n heterojunctions
期刊论文
Nano Research, 2016, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 507-516
Xiaoting Wang
;
Le Huang
;
Yuting Peng
;
Nengjie Huo
;
Kedi Wu
;
Congxin Xia
;
Zhongming Wei
;
Sefaattin Tongay
;
Jingbo Li
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/03/16
Gate-tunable diode-like current rectification and ambipolar transport in multilayer van der Waals ReSe2/WS2 p–n heterojunctions
期刊论文
Phys. Chem. Chem. Phys., 2016, 卷号: 18, 期号: 40, 页码: 27750-27753
Cong Wang
;
Shengxue Yang
;
Wenqi Xiong
;
Congxin Xia
;
Hui Cai
;
Bin Chen
;
Xiaoting Wang
;
Xinzheng Zhang
;
Zhongming Wei
;
Sefaattin Tongay
;
Jingbo Li
;
Qian Liu
收藏
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浏览/下载:59/0
  |  
提交时间:2017/03/10
Tunable Polarity Behavior and Self-Driven Photoswitching in p-WSe2/n-WS2 Heterojunctions
期刊论文
small, 2015, 卷号: 11, 期号: 40, 页码: 5430-5438
Nengjie Huo
;
Juehan Yang
;
Le Huang
;
Zhongming Wei
;
Shu-Shen Li
;
Su-Huai Wei
;
Jingbo Li
收藏
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浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2016/03/29
Resonant subband Landau level coupling in symmetric quantum well
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083502
Tung LC (Tung L. -C.)
;
Wu XG (Wu X. -G.)
;
Pfeiffer LN (Pfeiffer L. N.)
;
West KW (West K. W.)
;
Wang YJ (Wang Y. -J.)
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/12/05
TILTED MAGNETIC-FIELDS
ELECTRON-GAS
DEPOLARIZATION SHIFT
CYCLOTRON-RESONANCE
MATRIX-ELEMENTS
HETEROJUNCTIONS
SPECTROSCOPY
TECHNOLOGY
ABSORPTION
SYSTEMS
Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052101
作者:
Wei HY
;
Jiao CM
;
Song HP
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浏览/下载:235/41
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
conduction bands
energy gap
high electron mobility transistors
III-V semiconductors
magnesium compounds
passivation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
Effect of Ka-band microwave on the spin dynamics of electrons in a GaAs/Al0.35Ga0.65As heterostructure
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 19, 页码: art. no. 192107
作者:
Qian X
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浏览/下载:80/7
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier lifetime
gallium arsenide
high-frequency effects
III-V semiconductors
optical Kerr effect
semiconductor heterojunctions
spin dynamics
two-dimensional electron gas
Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111
Xu, XQ
;
Liu, XL
;
Han, XX
;
Yuan, HR
;
Wang, J
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Zheng, GL
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
dislocation density
electron mobility
gallium compounds
III-V semiconductors
interface roughness
semiconductor heterojunctions
two-dimensional electron gas
wide band gap semiconductors
Tuning of plasmon propagation in two-dimensional electrons
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 25, 页码: art. no. 251501
Li C
;
Wu XG
收藏
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浏览/下载:224/75
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提交时间:2010/03/08
field effect transistors
plasmons
semiconductor heterojunctions
spin-orbit interactions
two-dimensional electron gas
Optical study of heterointerface configuration in narrow GaAs/AlGaAs single quantum wells prepared with growth interruption
期刊论文
journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 2, 页码: 1073-1077
Yuan ZL
;
Xu ZY
;
Zheng BZ
;
Luo CP
;
Xu JZ
;
Ge WK
;
Zhang PH
;
Yang XP
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MONOLAYER-FLAT ISLANDS
SEMICONDUCTOR INTERFACES
EXCITON TRANSFER
TEMPERATURE
LINEWIDTH
DYNAMICS
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