×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [15]
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [2]
2006 [1]
2003 [2]
2002 [2]
更多...
学科主题
半导体物理 [15]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共15条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:35/2
  |  
提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102
作者:
Jiang DS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
收藏
  |  
浏览/下载:59/0
  |  
提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
FUNDAMENTAL-BAND GAP
NANOWIRES
HETEROSTRUCTURES
NANOSTRUCTURES
MOCVD
POLAR
Monolithic integration of sampled grating DBR with electroabsorption modulator by combining selective-area-growth MOCVD and quantum-well intermixing
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 3670-3672
Liu, HB
;
Zhao, LJ
;
Pan, JQ
;
Zhu, HL
;
Zhou, F
;
Wang, BJ
;
Wang, W
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/03/08
TUNING RANGE
LASERS
TRANSMITTER
PERFORMANCE
MOVPE
Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4300-4304
作者:
Liang S
;
Pan JQ
收藏
  |  
浏览/下载:58/0
  |  
提交时间:2010/03/08
metal-organic chemical vapour deposition
Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119
作者:
Liang S
;
Pan JQ
收藏
  |  
浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/04/11
self-assembled quantum dots
indium arsenide
bimodal size distribution
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MU-M
ISLANDS
DENSITY
EPITAXY
LASER
Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
收藏
  |  
浏览/下载:251/3
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy
期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/08/12
AlInGaN
quantum dots
hopping
stretched-exponential decay
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LIGHT-EMITTING-DIODES
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THERMAL-ACTIVATION
LUMINESCENCE
TRANSITIONS
RELAXATION
SILICON
LAYERS
Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074
作者:
Han PD
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nitrogen vacancy scattering
GaN
mobility
MOCVD
N-TYPE GAN
NITRIDE
FILMS
ECR plasma in growth of cubic GaN by low pressure MOCVD
期刊论文
plasma chemistry and plasma processing, 2002, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 159-174
Gu B
;
Xu Y
;
Qin FW
;
Wang SS
;
Sui Y
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:78/7
  |  
提交时间:2010/08/12
ECR plasma
cubic GaN
low pressure MOCVD
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CYCLOTRON-RESONANCE PLASMA
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
GAAS
DIMETHYLHYDRAZINE
Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976
作者:
Han PD
收藏
  |  
浏览/下载:76/9
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SURFACE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
BUFFER LAYER
GROWN GAN
DEPOSITION
MORPHOLOGY
QUALITY
ZNO
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace