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科研机构
半导体研究所 [8]
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会议论文 [1]
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2011 [1]
2004 [2]
2000 [1]
1999 [1]
1998 [1]
1997 [1]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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Spin and momentum filtering of electrons on the surface of a topological insulator
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 16, 页码: article no.162101
作者:
Wu ZH
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浏览/下载:27/3
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提交时间:2011/07/05
SINGLE DIRAC CONE
GRAPHENE
BI2TE3
PHASE
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
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浏览/下载:284/63
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提交时间:2010/03/09
molecular beam epitaxy
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
GaAsSb/GaAs
GAAS
LASERS
GAIN
Exciton states and optical spectra in CdSe nanocrystallite quantum dots
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 23, 页码: 15880-15886
作者:
Li JB
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTOR CLUSTERS
SIZE DEPENDENCE
ENERGY-LEVELS
CRYSTALLITES
ASSIGNMENT
WURTZITE
SPHERES
BANDS
DARK
Influence of (001) vicinal GaAs substrates on the optical properties of defects in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 4, 页码: 504-506
Zhang MH
;
Li Q
;
Zhang YF
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Xu ZY
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
DYNAMICS
Observation of the third subband population in modulation-doped InGaAs/InAlAs heterostructure
期刊论文
chinese physics letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 57-59
作者:
Xu B
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY
TRANSISTOR STRUCTURES
ELECTRON
TEMPERATURE
DENSITY
The third subband population in modulation-doped InGaAs/InAlAs heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 1997, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: 6107-6109
作者:
Xu B
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY
TRANSISTOR STRUCTURES
ELECTRON
TEMPERATURE
DENSITY
Pressure dependence of the electronic subband structure of strained In0.2Ga0.8As/GaAs MQWs
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335
Li GH
;
Goni AR
;
Syassen K
;
Hou HQ
;
Feng W
;
Zhou JM
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/11/17
MULTIPLE QUANTUM-WELLS
HYDROSTATIC-PRESSURE
DEFORMATION POTENTIALS
EXCITON ABSORPTION
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
GAAS
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