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半导体研究所 [19]
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期刊论文 [16]
会议论文 [3]
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学科主题
半导体物理 [19]
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学科主题:半导体物理
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Near Full-Composition-Range High-Quality GaAs1−xSbx Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy
期刊论文
Nano Letters, 2017, 卷号: 17, 页码: 622−630
作者:
Lixia Li
;
Dong Pan
;
Yongzhou Xue
;
Xiaolei Wang
;
Miaoling Lin
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2018/07/02
1310 nm GaInNAs triple quantum well laser with 13 GHz modulation bandwidth
期刊论文
electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 356-u23
Zhao H
;
Haglund A
;
Westburgh P
;
Wang SM
;
Gustavsson JS
;
Sadeghi M
;
Larsson A
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浏览/下载:84/31
  |  
提交时间:2010/03/08
THRESHOLD-CURRENT-DENSITY
RANGE
Structural, electrical, and optical properties of InAsxSb1-x epitaxial films grown by liquid-phase epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 7, 页码: art. no. 073712
作者:
Wang Y
;
Zhang XW
;
Yin ZG
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
Enhancement of photoluminescence intensity of GaInNAs/GaAs quantum wells by two-step rapid thermal annealing
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2579-2582
Zhao H (Zhao Huan)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Han Q (Han Qin)
;
Wu RH (Wu Rong-Han)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
ORIGIN
Influence of nitridation time on the morphology of GaN nanorods synthesized by nitriding Ga2O3/ZnO films
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 117-120
Gao HY (Gao Haiyong)
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/04/11
GaN nanorods
Ga2O3/ZnO films
RF magnetron sputtering
nitridation
OPTICAL-PROPERTIES
LASER-DIODES
ZNO
SUBSTRATE
NANOWIRES
LAYER
Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1860-1864
作者:
Xu Yingqiang
;
Yang Xiaohong
;
Xu Yingqiang
;
Han Qin
;
Niu Zhichuan
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/11/23
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:284/63
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提交时间:2010/03/09
molecular beam epitaxy
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
GaAsSb/GaAs
GAAS
LASERS
GAIN
Structural and optical properties of strain-compensated GaAsSb/GaAs quantum wells with high Sb composition
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 20, 页码: 4149-4151
作者:
Jiang DS
;
Zhang YH
收藏
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浏览/下载:183/0
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提交时间:2010/08/12
1.3-MU-M VCSELS
GAAS
SUPERLATTICES
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