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Enhancement of band-to-band tunneling in mono-layer transition metal dichalcogenides two-dimensional materials by vacancy defects 期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 023512
Jiang, XW; Gong, J; Xu, N; Li, SS; Zhang, JF; Hao, Y; Wang, LW
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/03/25
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：59/6  |  提交时间：2011/07/05
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG
收藏  |  浏览/下载：71/1  |  提交时间：2010/03/08
Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814
Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL
收藏  |  浏览/下载：251/3  |  提交时间：2010/08/12
Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文
solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074
作者:  Han PD
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12
Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596
Zhu QS; Sawaki N
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