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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：72/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403 作者:  Li JB;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：67/11  |  提交时间：2010/03/08 N-TYPE GAN  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  DEFECTS  THERMOLUMINESCENCE  CARBON  TRAP   Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer 期刊论文 superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：164/57  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/GaN heterostructure  Superlattices (SLs)  Root mean square roughness (RMS)  Sheet resistance   Effect of Ka-band microwave on the spin dynamics of electrons in a GaAs/Al0.35Ga0.65As heterostructure 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 19, 页码: art. no. 192107 作者:  Qian X 收藏  |  浏览/下载：83/7  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier lifetime  gallium arsenide  high-frequency effects  III-V semiconductors  optical Kerr effect  semiconductor heterojunctions  spin dynamics  two-dimensional electron gas   Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：251/3  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY   Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文 solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 nitrogen vacancy scattering  GaN  mobility  MOCVD  N-TYPE GAN  NITRIDE  FILMS   Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596 Zhu QS; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 LAYER