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半导体研究所 [6]
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期刊论文 [6]
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2010 [1]
2008 [1]
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2003 [1]
2002 [1]
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半导体物理 [6]
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学科主题:半导体物理
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Accurate determination of electronic transition energy of carbon nanotubes from the resonant behavior of radial breathing modes and their overtones
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 7966-7973
Zhang J (Zhang Jun)
;
Tan PH (Tan Ping-Heng)
;
Zhao WJ (Zhao Wei-Jie)
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/12/27
single walled carbon nanotubes
radial breathing modes
resonant Raman scattering
electronic transition energy
STOKES-RAMAN SCATTERING
VIBRATIONAL-MODES
GRAPHITE
DIAMETER
SPECTRA
Evolution of structural defects in SiOx films fabricated by electron cyclotron resonance plasma chemical vapour deposition upon annealing treatment
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1034-1037
Hao, XP
;
Wang, BY
;
Yu, RS
;
Wei, L
;
Wang, H
;
Zhao, DG
;
Hao, WC
收藏
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浏览/下载:70/2
  |  
提交时间:2010/03/08
SILICON-OXIDE FILMS
POSITRON-ANNIHILATION
POROUS SILICON
THIN-FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYERS
BEAM
Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD
;
Xu ZY
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Ding L
;
Wang FZ
;
Ye ZZ
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-TYPE ZNO
OPTICAL-PROPERTIES
EXCITON FORMATION
PHOTOLUMINESCENCE
FILMS
SPECTROSCOPY
DYNAMICS
IMPURITY
ENERGY
Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063
Fang ZD
;
Gong Z
;
Miao ZH
;
Xu XH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
收藏
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/08/12
1.3 MU-M
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASING CHARACTERISTICS
LASERS
WAVELENGTH
SEPARATION
LINEWIDTH
PROPERTY
GAIN
Deep levels in semi-insulating InP obtained by annealing under iron phosphide ambiance
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 4, 页码: 1968-1970
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zhang YH
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:63/15
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提交时间:2010/08/12
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
UNDOPED INP
SPECTROSCOPY
WAFER
UNIFORMITY
PRESSURE
TRAPS
Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching
期刊论文
chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969
Gao F
;
Huang CJ
;
Huang DD
;
Li JP
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
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浏览/下载:108/9
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提交时间:2010/08/12
Ge islands
chemical etching
photoluminescence
Si2H6-Ge molecular beam epitaxy
QUANTUM DOTS
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