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科研机构
半导体研究所 [7]
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期刊论文 [7]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2003 [1]
2002 [2]
1998 [1]
1991 [1]
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学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Donor-donor binding in In2O3: Engineering shallow donor levels
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083704
Tang LM (Tang Li-Ming)
;
Wang LL (Wang Ling-Ling)
;
Wang D (Wang Dan)
;
Liu JZ (Liu Jian-Zhe)
;
Chen KQ (Chen Ke-Qiu)
收藏
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2010/05/24
AUGMENTED-WAVE METHOD
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTORS
FILMS
ZNSE
ZNTE
Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932
Deng AH
;
Mascher P
;
Zhao YW
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/08/12
UNDOPED SEMIINSULATING INP
LOW FE CONTENT
POSITRON-LIFETIME
PHASE EPITAXY
PRESSURE
VACANCY
INDIUM
ANNIHILATION
PHOSPHIDE
WAFERS
Creation and suppression of point defects through a kick-out substitution process of Fe in InP
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 16, 页码: 2878-2879
Zhao YW
;
Dong HW
;
Chen YH
;
Zhang YH
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
;
Fung S
收藏
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浏览/下载:89/2
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提交时间:2010/08/12
SEMIINSULATING INP
ZN DIFFUSION
COMPLEXES
PHOSPHIDE
MECHANISM
CRYSTALS
Positron-annihilation study of compensation defects in InP
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 1998-2001
Shan YY
;
Deng AH
;
Ling CC
;
Fung S
;
Ling CD
;
Zhao YW
;
Sun TN
;
Sun NF
收藏
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浏览/下载:100/9
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提交时间:2010/08/12
UNDOPED SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
LIFETIME
VACANCY
MECHANISMS
ACCEPTOR
GROWTH
GAAS
Compensation ratio-dependent concentration of a VInH4 complex in n-type liquid encapsulated Czochralski InP
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 9, 页码: 1275-1277
Fung S
;
Zhao YW
;
Beling CD
;
Xu XL
;
Gong M
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Chen XD
;
Zhang RG
;
Liu SL
;
Yang GY
;
Qian JJ
;
Sun MF
;
Liu XL
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
SEMICONDUCTORS
HYDROGEN
DEFECTS
MECHANISM
INFLUENCES OF ALLOY DISORDER AND INTERFACE ROUGHNESS ON OPTICAL-SPECTRA OF INGAAS/GAAS STRAINED-LAYER QUANTUM-WELLS
期刊论文
chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 458-465
XU QA
;
XU ZY
;
ZHENG BZ
;
XU JZ
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
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