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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1999 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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High-speed and high-power 1.3 mu m InGaAsP/InP selective proton-bombarded buried crescent lasers with optical field attenuation regions
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1999, 卷号: 38, 期号: 12a, 页码: 6729-6731
Zhang BJ
;
Yi MB
;
Song JF
;
Gao DS
;
Zhu NH
;
Wu RH
;
Wang W
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提交时间:2010/08/12
semiconductor laser
heterostructure
proton bombardment
modulation bandwidth
MOCVD
CURRENT BLOCKING LAYERS
INNER-STRIPE LASERS
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