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半导体研究所 [14]
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期刊论文 [14]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2002 [1]
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学科主题
半导体物理 [14]
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学科主题:半导体物理
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Determining the sign of g factor via time-resolved Kerr rotation spectroscopy with a rotatable magnetic field
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 87503
Gu XF
;
Qian X
;
Ji Y
;
Chen L
;
Zhao JH
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/01/06
ELECTRON G-FACTORS
QUANTUM-WELLS
GAAS
SPINTRONICS
BEATS
Optical properties of UO2 and PuO2
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 400, 期号: 2, 页码: 151-156
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Chu MF (Chu Mingfu)
;
Zhang P (Zhang Ping)
收藏
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浏览/下载:76/0
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提交时间:2010/06/18
ELECTRONIC-STRUCTURE
URANIUM-DIOXIDE
POINT-DEFECTS
PHOTOEMISSION
ENERGY
APPROXIMATION
ENERGETICS
PLUTONIUM
CRYSTAL
SPECTRA
Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802
Ruan J
;
Yu TJ
;
Jia CY
;
Tao RC
;
Wang ZG
;
Zhang GY
收藏
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浏览/下载:88/2
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELL LASERS
OPTICAL GAIN
EMISSION
GAN
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
SPECTRA
ORIGIN
ENERGY
Direct observation of coherent spin transfer processes in an InGaAs/GaAs quantum well via two-color time-resolved Kerr rotation measurements
期刊论文
semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: art. no. 075021
Ruan, XZ
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Yang, W
;
Zhao, JH
;
Xu, ZY
收藏
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浏览/下载:56/4
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提交时间:2010/03/08
PHOTONIC CRYSTAL FIBER
SELF-PHASE-MODULATION
SEMICONDUCTOR SPINTRONICS
CONTINUUM GENERATION
SAPPHIRE LASERS
OPTICAL-FIBERS
SPECTROSCOPY
HETEROSTRUCTURES
SYNCHRONIZATION
TEMPERATURE
Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD
;
Xu ZY
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Ding L
;
Wang FZ
;
Ye ZZ
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-TYPE ZNO
OPTICAL-PROPERTIES
EXCITON FORMATION
PHOTOLUMINESCENCE
FILMS
SPECTROSCOPY
DYNAMICS
IMPURITY
ENERGY
Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318
Leung BH
;
Chan NH
;
Fong WK
;
Zhu CF
;
Ng SW
;
Lui HF
;
Tong KY
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
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浏览/下载:129/0
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提交时间:2010/08/12
deep level transient Fourier spectroscopy
(DLTFS)
gallium nitride (GaN)
intermediate-temperature buffer layer (ITBF)
low-frequency noise
RESONANT-TUNNELING DIODES
GENERATION-RECOMBINATION NOISE
RANDOM-TELEGRAPH NOISE
ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS
DEVICES
Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134
Xu XL
;
Liu HT
;
Shi CS
;
Zhao YW
;
Fung S
;
Beling CD
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浏览/下载:127/15
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提交时间:2010/08/12
LIGHT-EMITTING DIODES
GALLIUM NITRIDE
YELLOW LUMINESCENCE
ELECTRON
PHOTOLUMINESCENCE
EPILAYERS
VACANCIES
INTERFACE
MECHANISM
ENERGY
Photoluminescence of rapid-thermal annealed Mg-doped GaN films
期刊论文
solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1153-1157
Wang LS
;
Fong WK
;
Surya C
;
Cheah KW
;
Zheng WH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:74/5
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提交时间:2010/08/12
p-type GaN
metalorganic chemical vapor deposition
photoluminescence
X-ray diffraction
rapid-thermal annealing
P-TYPE GAN
RECOMBINATION
EMISSION
ENERGY
BANDS
Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985
Liao MY
;
Qin FG
;
Zhang JH
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Lee ST
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
BIAS-ENHANCED NUCLEATION
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
BEAM DEPOSITION
MECHANISM
SILICON
SPECTROSCOPY
Hole levels and exciton states in CdS nanocrystals
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 62, 期号: 19, 页码: 12613-12616
作者:
Li JB
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM DOTS
ELECTRON
SPECTRUM
CRYSTALLITES
CONFINEMENT
TRANSITIONS
ASSIGNMENT
CLUSTERS
ENERGY
BAND
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