×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [51]
内容类型
期刊论文 [48]
会议论文 [3]
发表日期
2011 [2]
2010 [1]
2009 [5]
2008 [5]
2007 [1]
2006 [3]
更多...
学科主题
半导体物理 [51]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共51条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Influence of magnetocrystalline anisotropy on magneto-optics in GaMnAs/InGaAs epilayer
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2011, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 1-5
作者:
Zhu H
;
Gan HD
收藏
  |  
浏览/下载:67/5
  |  
提交时间:2011/07/05
(Ga, Mn)As
magneto-optical effect
oscillation
magnetic anisotropic
(GA,MN)AS FILMS
SEMICONDUCTORS
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
收藏
  |  
浏览/下载:59/6
  |  
提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As
会议论文
international magnetics conference (intermag), madrid, spain, may 04-08, 2008
作者:
Gan HD
收藏
  |  
浏览/下载:68/0
  |  
提交时间:2010/03/09
Magnetic analysis
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:193/56
  |  
提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
claddings
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
refractive index
waveguide lasers
Curvature Correction of FWHM in the X-Ray Rocking Curve of Bent Heteroepitaxial Films
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: art. no. 076104
作者:
Wang LJ
;
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
收藏
  |  
浏览/下载:80/0
  |  
提交时间:2010/03/08
DENSITIES
CRYSTALS
LAYERS
Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 041001
作者:
Hao GD
收藏
  |  
浏览/下载:130/28
  |  
提交时间:2010/03/08
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
QUANTUM-WELLS
LASER-DIODES
ORIENTATION
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
ANISOTROPY
SEMIPOLAR
SAPPHIRE
FILMS
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:64/1
  |  
提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Room Temperature Ferromagnetism of Mn Implanted AlInN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 040202
Majid A
;
Sharif R
;
Ali A
;
Zhu JJ
收藏
  |  
浏览/下载:251/25
  |  
提交时间:2010/03/08
MAGNETIC-PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
GAN
CR
ALLOYS
GROWTH
FILMS
Structure and magnetic characteristics of nonpolar a-plane GaN : Mn films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165004
Sun, LL
;
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Zhang, HX
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/03/08
P-TYPE GAN
SAPPHIRE
PROPERTY
Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Yang, JK
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2010/03/08
HVPE
GaN
sapphire
nonpolar
semipolar
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace