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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文 journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：100/6  |  提交时间：2011/07/05 Twinned SiC nanowires  Electronic properties  Ab initio  Modeling and simulation  SILICON-CARBIDE NANOWIRES  FIELD-EMISSION PROPERTIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INAS NANOWIRES  GROWTH  NANOTUBES  NITRIDE  DIFFUSION  NANORODS  ENERGY   Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-TYPE ZNO  OPTICAL-PROPERTIES  EXCITON FORMATION  PHOTOLUMINESCENCE  FILMS  SPECTROSCOPY  DYNAMICS  IMPURITY  ENERGY   Influence of (001) vicinal GaAs substrates on the optical properties of defects in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 期刊论文 applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 4, 页码: 504-506 Zhang MH; Li Q; Zhang YF; Huang Q; Zhou JM; Xu ZY 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 SPATIAL LIGHT MODULATORS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  DYNAMICS   Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 GAS-SOURCE MBE  KINETICS  ADSORPTION  SILICON  SI(100)  MECHANISM  SI2H6  PHASE  FILMS   Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938 Li XB; Sun DZ; Zhang JP; Kong MY; Yoon SF 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  LAYERS  GAAS  HYDROGEN  FILMS   Optical study of heterointerface configuration in narrow GaAs/AlGaAs single quantum wells prepared with growth interruption 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 2, 页码: 1073-1077 Yuan ZL; Xu ZY; Zheng BZ; Luo CP; Xu JZ; Ge WK; Zhang PH; Yang XP 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MONOLAYER-FLAT ISLANDS  SEMICONDUCTOR INTERFACES  EXCITON TRANSFER  TEMPERATURE  LINEWIDTH  DYNAMICS