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半导体研究所 [19]
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期刊论文 [17]
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2009 [1]
2008 [2]
2005 [1]
2004 [2]
2003 [2]
2000 [7]
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学科主题
半导体物理 [19]
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共19条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Design of high polarization and single-mode photonic crystal laser
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 3955-3960
Chen W
;
Xing MX
;
Ren G
;
Wang K
;
Du XY
;
Zhang YJ
;
Zheng WH
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浏览/下载:87/3
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提交时间:2010/03/08
photonic crystal
dipole mode
quality factor
degree of polarization
First-principles study of transition metal impurities in Si
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 15, 页码: art. no. 155201
Zhang ZZ
;
Partoens B
;
Chang K
;
Peeters FM
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浏览/下载:61/7
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提交时间:2010/03/08
SILICON
Investigation of filling factor in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells with two occupied subbands
期刊论文
acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 6, 页码: 3818-3822
Shang, LY
;
Lin, T
;
Zhou, WZ
;
Guo, SL
;
Li, DL
;
Gao, HL
;
Cui, LJ
;
Zeng, YP
;
Chu, JH
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浏览/下载:84/20
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提交时间:2010/03/08
In0.53Ga0.47As/In-0.52 Al0.48As quantum well
filling factor
magnetotransport measurement
Photonic band structures of two-dimensional photonic crystals with deformed lattices
期刊论文
chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 12, 页码: 2507-2513
Cai XH
;
Zheng WH
;
Ma XT
;
Ren G
;
Xia JB
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浏览/下载:34/19
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提交时间:2010/03/17
photonic band gap
Influence of level filling on optical properties of quantum well
期刊论文
acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 12, 页码: 4334-4340
Zhu, L
;
Zheng, HZ
;
Tan, PH
;
Zhou, X
;
Ji, Y
;
Yang, FH
;
Li, GR
;
Zeng, YX
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/17
resonant tunneling
Photo-capacitance response of internal tunnelling coupling in quantum-dot-imbedded heterostructures under selective photo-excitation
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2004, 卷号: 16, 期号: 36, 页码: 6519-6525
Li, GR
;
Zhou, X
;
Yang, FH
;
Tan, PH
;
Zheng, HZ
;
Zeng, YP
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/17
ELECTRON GROUND-STATES
A method to obtain ground state electroluminescence from 1.3 mu m emitting InAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 97-99
Kong YC
;
Zhou DY
;
Lan Q
;
Liu JL
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
electroluminescence
state filling effect
OPTICAL-PROPERTIES
WAVELENGTH
EMISSION
LASER
GAAS
DEPENDENCE
LAYER
Effect of different type intermediate layers on band structure and gain of Ga1-xInxNyAs1-y-GaAs quantum well lasers
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2003, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 1336-1338
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:395/1
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提交时间:2010/08/12
band structure
differential gain
GaInNAs
optical gain
strain compensated
strain mediated
STRAIN
TEMPERATURE
DIODES
ALLOYS
OFFSET
Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures
期刊论文
compound semiconductors 1999, 2000, 期号: 166, 页码: 251-256
Wang H
;
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Ning D
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/08/12
ELECTRONIC-STRUCTURE
CARRIER RELAXATION
ENERGY-LEVELS
SPECTROSCOPY
Optical properties of InAs self-organized quantum dots in n-i-p-i GaAs superlattices
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 15, 页码: 2035-2037
Wang JZ
;
Wang ZM
;
Wang ZG
;
Yang Z
;
Feng SL
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
FIELD
PHOTOLUMINESCENCE
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