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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Filter-based ultralow-frequency Raman measurement down to 2 cm−1 for fast Brillouin spectroscopy measurement 期刊论文 REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 2017, 卷号: 88, 期号: 5, 页码: 053110 作者:  Xue-Lu Liu;  He-Nan Liu;  Jiang-Bin Wu;  Han-Xu Wu;  Tao Zhang 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/06/15 Subband electron properties of highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 12, 页码: 1909-1911 Jiang CP; Huang ZM; Guo SL; Chu JH; Cui LJ; Zeng YP; Zhu ZP; Wang BQ 收藏  |  浏览/下载：124/9  |  提交时间：2010/08/12 HIGH-PERFORMANCE  HEMTS  HETEROSTRUCTURES   Structural and optical properties of self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs (311) A substrate 期刊论文 acta physica sinica, 1999, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 1541-1546 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 THERMAL-ACTIVATION  LOCALIZED EXCITONS  PHOTOLUMINESCENCE  SUPERLATTICES   Influence of interdot electronic coupling on photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 会议论文 10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 GAAS  GROWTH   Influence of interdot electronic coupling on photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 213-218 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 GAAS  GROWTH