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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2008 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
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学科主题:半导体物理
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Electron transport properties of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells with two occupied subbands
期刊论文
acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 2481-2485
Li-Yan, S
;
Tie, L
;
Wen-Zheng, Z
;
Zhi-Ming, H
;
Dong-Lin, L
;
Hong-Ling, G
;
Li-Jie, C
;
Yi-Ping, Z
;
Shao-Ling, G
;
Jun-Hao, C
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提交时间:2010/03/08
two-dimensional electron gas
scattering time
self-consistent calculation
Subband electron properties of highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 12, 页码: 1909-1911
Jiang CP
;
Huang ZM
;
Guo SL
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
收藏
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提交时间:2010/08/12
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