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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 041001 作者:  Hao GD 收藏  |  浏览/下载：130/28  |  提交时间：2010/03/08 CONTINUOUS-WAVE OPERATION  QUANTUM-WELLS  LASER-DIODES  ORIENTATION  SEMICONDUCTORS  DEPENDENCE  ANISOTROPY  SEMIPOLAR  SAPPHIRE  FILMS   Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：1039/2  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN-SCATTERING  ALPHA-GAN  ALN  LAYERS  STRAIN  WURTZITE  FILMS   Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/10/29 AlGaN/GaN heterostructures  In-doping  2DEG  electron sheet density  X-ray diffraction  etching  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MOBILITY  GROWTH  FILMS   Quantum-confinement-effect-driven type-I-type-II transition in inhomogeneous quantum dot structures 期刊论文 physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 7, 页码: 4743-4747 Kai C 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 SUPERLATTICES  CDS/HGS/CDS  WELL  FILMS