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Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering 期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302
作者:  Jiang DS
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/11
Optical and electrical characterizations of ZnSe self-organized quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 310-314
Lu LW; Wang ZG; Yang CL; Wang J; Ma ZH; Sou IK; Ge WK
收藏  |  浏览/下载：94/10  |  提交时间：2010/08/12
Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth 期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985
Liao MY; Qin FG; Zhang JH; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12
Correlated structural and optical investigation of terbium-doped zinc oxide nanocrystals 期刊论文
physics letters a, 2000, 卷号: 271, 期号: 1-2, 页码: 128-133
作者:  Liu SM
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12
Quantitative analysis of excitonic photoluminescence in nitrogen-doped ZnSe epilayers 期刊论文
journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 3, 页码: 1775-1779
Zhu ZM; Li GH; Liu NZ; Wang SZ; Han HX; Wang ZP
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/08/12
Quantum-confined Stark effects of exciton states in V-shaped GaAs/AlxGa1-xAs quantum wires 期刊论文
physical review b, 1998, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 2031-2037
Chang K; Xia JB
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12
ELECTRON-TRANSPORT THROUGH GAALAS BARRIERS IN GAAS 期刊论文
journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 1, 页码: 341-345
FENG SL; KRYNICKI J; ZAZOUI M; BOURGOIN JC; BOIS P; ROSENCHER E
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/11/15
RAMAN PHONONS OF SILICON WIRES 期刊论文
physics letters a, 1993, 卷号: 180, 期号: 3, 页码: 295-298
SHEN MY
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/11/15
DEFECT MODEL OF PHOTOCONVERSION BY OXYGEN IN SEMIINSULATING GAAS 期刊论文
physical review b, 1991, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 13435-13445
ZHONG XF
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15

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