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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111 Xu, XQ; Liu, XL; Han, XX; Yuan, HR; Wang, J; Guo, Y; Song, HP; Zheng, GL; Wei, HY; Yang, SY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  dislocation density  electron mobility  gallium compounds  III-V semiconductors  interface roughness  semiconductor heterojunctions  two-dimensional electron gas  wide band gap semiconductors   Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 ROOM-TEMPERATURE  SILICON  SEMICONDUCTORS  DISLOCATIONS  SPECTRA   Temperature and pressure dependences of the copper-related green emission in ZnO microrods 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 1, 页码: art.no.013107 Su FH (Su F. H.); Liu YF (Liu Y. F.); Chen W (Chen W.); Wang WJ (Wang W. J.); Ding K (Ding K.); Li GH (Li G. H.); Joly AG (Joly A. G.); McCready DE (McCready D. E.) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/04/11 ZINC-OXIDE  OPTICAL-PROPERTIES  PHOTOLUMINESCENCE  LUMINESCENCE  IMPURITIES  NANOWIRES  SAPPHIRE  GROWTH  BAND  CU   Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597 Tsang MS; Wang JN; Ge WK; Li GH; Fang ZL; Chen Y; Han HX; Li LH; Pan Z 收藏  |  浏览/下载：98/11  |  提交时间：2010/08/12 GAINNAS ALLOYS  BAND-STRUCTURE  GAAS  NITROGEN  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  BEHAVIOR  MASS   ELECTRON-STATES OF A VACANCY IN THE CORE OF THE 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION IN SILICON 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 1995, 卷号: 189, 期号: 2, 页码: 473-477 MARKLUND S; WANG YL 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/17 STACKING-FAULTS  BEHAVIOR  DEFECTS   INFLUENCES OF ALLOY DISORDER AND INTERFACE ROUGHNESS ON OPTICAL-SPECTRA OF INGAAS/GAAS STRAINED-LAYER QUANTUM-WELLS 期刊论文 chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 458-465 XU QA; XU ZY; ZHENG BZ; XU JZ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 EPITAXIAL MULTILAYERS  DEFECTS  SUPERLATTICES  DISLOCATIONS  DEPENDENCE  THICKNESS