×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [9]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [1]
2007 [2]
2006 [2]
2005 [1]
2004 [2]
2000 [1]
更多...
学科主题
半导体物理 [10]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911
作者:
Chen L
收藏
  |  
浏览/下载:79/0
  |  
提交时间:2010/03/08
annealing
gallium arsenide
iron
magnetic anisotropy
magnetic epitaxial layers
magnetisation
molecular beam epitaxial growth
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
Cr-doped InAs self-organized diluted magnetic quantum dots with room-temperature ferromagnetism
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 2118-2121
Zheng YH (Zheng Yu-Hong)
;
Zhao JH (Zhao Jian-Hua)
;
Bi JF (Bi Jing-Feng)
;
Wang WZ (Wang Wei-Zhu)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Wu XG (Wu Xiao-Guang)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/03/29
THIN-FILMS
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 971-974
Tangring, I (Tangring, I.)
;
Wang, SM (Wang, S. M.)
;
Sadeghi, M (Sadeghi, M.)
;
Larsson, A (Larsson, A.)
;
Wang, XD (Wang, X. D.)
收藏
  |  
浏览/下载:62/0
  |  
提交时间:2010/03/29
metamorphic growth
1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
收藏
  |  
浏览/下载:224/60
  |  
提交时间:2010/03/29
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
NITROGEN
ORIGIN
DIODES
Growth of thicker zinc-blende CrSb layers by using (In,Ga)As buffer layers
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.093902
Deng JJ
;
Zhao JH
;
Bi JF
;
Niu ZC
;
Yang FH
;
Wu XG
;
Zheng HZ
收藏
  |  
浏览/下载:100/0
  |  
提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
SPINTRONICS
MULTILAYER
FILMS
CRAS
High structural and optical quality 1.3 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells with higher indium content grown by molecular-beam expitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 16, 页码: art.no.161911
Zhang SY
;
Niu ZC
;
Ni HQ
;
Wu DH
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
收藏
  |  
浏览/下载:107/35
  |  
提交时间:2010/03/17
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
Generation and behavior of pure-edge threading misfit dislocations in InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 5267-5270
作者:
Li DB
收藏
  |  
浏览/下载:54/17
  |  
提交时间:2010/03/09
VAPOR-PHASE EPITAXY
Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362-4366
Lu, W
;
Li, DB
;
Li, CR
;
Shen, F
;
Zhang, Z
收藏
  |  
浏览/下载:303/45
  |  
提交时间:2010/03/09
CRITICAL LAYER THICKNESS
InAs self-assembled nanostructures grown on InP(001)
期刊论文
chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 222-224
作者:
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM DOTS
ISLANDS
GAAS
THRESHOLD
GAAS(100)
SIZE
INP
Intraband absorption in the 8-12 mu m band from Si-doped vertically aligned InGaAs/GaAs quantum-dot superlattice
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 25, 页码: 3706-3708
Zhuang QD
;
Li JM
;
Li HX
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Chen YH
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/08/12
X-RAY-DIFFRACTION
INFRARED-ABSORPTION
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
WELL
SPECTROSCOPY
TRANSITIONS
LASERS
INP
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace