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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [1]
2003 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
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The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704
作者:
Li JB
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浏览/下载:132/30
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提交时间:2010/03/08
AUGMENTED-WAVE METHOD
P-TYPE ZNO
POINT-DEFECTS
II-VI
NITROGEN
SEMICONDUCTORS
1ST-PRINCIPLES
COMPENSATION
ENHANCEMENT
RBS/channeling study and photoluminscence properties of Er-implanted GaN
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2558-2562
Song SF
;
Zhou SQ
;
Chen WD
;
Zhu JJ
;
Chen CY
;
Xu ZJ
收藏
  |  
浏览/下载:235/3
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
erbium
Raman back scattering
photoluminscence
DOPED GAN
ERBIUM
PHOTOLUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE
Exciton states and optical spectra in CdSe nanocrystallite quantum dots
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 23, 页码: 15880-15886
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/08/12
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTOR CLUSTERS
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ASSIGNMENT
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