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半导体研究所 [6]
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期刊论文 [6]
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2017 [1]
2016 [1]
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半导体物理 [6]
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学科主题:半导体物理
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Significantly extended cutoff wavelength of very long-wave infrared detectors based on InAs/GaSb/InSb/GaSb superlattices
期刊论文
Appl. Phys. Lett., 2017, 卷号: 111, 页码: 161101
作者:
Dongwei Jiang
;
Xi Han
;
Hongyue Hao
;
Yaoyao Sun
;
Zhi Jiang
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2018/06/15
Very high quantum efficiency in InAs/GaSb superlattice for very long wavelength detection with cutoff of 21 µm
期刊论文
applied physics letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 12, 页码: 121110
Dongwei Jiang
;
Wei Xiang
;
Fengyun Guo
;
Hongyue Hao
;
Xi Han
;
Xiaochao Li
;
Guowei Wang
;
Yingqiang Xu
;
Qingjiang Yu
;
Zhichuan Niu
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/10
GaAs Based InAs/GaSb Superlattice Short Wavelength Infrared Detectors Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: art. no. 028102
作者:
Tang B
;
Wang GW
;
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:160/45
  |  
提交时间:2010/03/08
INAS/GA1-XINXSB SUPERLATTICE
GASB
HETEROJUNCTIONS
PHOTODIODES
SEGREGATION
LAYERS
INAS
ALSB
Structural, electrical, and optical properties of InAsxSb1-x epitaxial films grown by liquid-phase epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 7, 页码: art. no. 073712
作者:
Wang Y
;
Zhang XW
;
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108
作者:
Zhang XW
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ENERGY-GAP
100 GAAS
INASSB
INAS1-XSBX
ALLOYS
INSB
TRANSPORT
LAYERS
Metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector based on GaN
期刊论文
science in china series g-physics astronomy, 2003, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 198-203
Wang J
;
Zhao DA
;
Liu ZS
;
Feng G
;
Zhu JJ
;
Shen XM
;
Zhang BS
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
MSM
ultraviolet photodetector
responsivity
LOW-NOISE
DETECTORS
PHOTODIODES
SI(111)
GAIN
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