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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Synthesis and characterization of ZnO nanoflowers grown on AIN films by solution deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 640-643 Gao, HY; Yan, FW; Zhang, Y; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：51/4  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NANORODS  MECHANISM  NANOWIRES   Raman study of low-temperature-grown Al0.29Ga0.71As/GaAs photorefractive materials 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: art.no.125325 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：76/4  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALXGA1-XAS ALLOYS  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE   Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting IIIV materials  LUMINESCENCE  GAASN   Growth and fabrication of high performance 980nm strained InGaAs quantum well lasers using novel hybrid material system of InGaAsP and AlGaAs 会议论文 semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998 Yang GW; Xu ZT; Xu JY; Ma XY; Zhang JM; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/10/29 strained quantum well  semiconductor lasers   Fermi-edge singularity observed in a modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 17, 页码: 2471-2472 Zhang JP; Sun DZ; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  LUMINESCENCE SPECTRA  ABSORPTION  CHARGE