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半导体研究所 [6]
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期刊论文 [6]
发表日期
2009 [1]
2004 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1999 [1]
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学科主题
半导体物理 [6]
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Optical transitions of positively charged excitons and biexcitons in single InAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 10, 页码: art. no. 103716
作者:
Chang XY
;
Jiang DS
;
Niu ZC
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提交时间:2010/04/04
FINE-STRUCTURE
TRION
Binding Energy of Biexcitons in GaAs Quantum-Well Wires
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 2259-2262
Liu Jianjun
;
Chen Xiaofang
;
Li Shushen
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
Binding energy of positively and negatively charged excitons in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 114-116
Liu JJ
;
Zhang SF
;
Yang GC
;
Li SS
收藏
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2010/08/12
BOUND EXCITONS
2-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS
BIEXCITONS
DONORS
Variational calculations of ionized-donor-bound excitons in GaAs-AlxGa1-xAs quantum wells
期刊论文
european physical journal b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 17-20
Liu JJ
;
Zhang SF
;
Li YX
;
Kong XJ
收藏
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浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/08/12
BINDING-ENERGY
2-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS
NEUTRAL DONORS
BIEXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
IMPURITY
Binding energy of ionized-donor-bound excitons in the GaAs-AlxGa1-xAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2000, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 358-359
Liu JJ
;
Zhang SF
;
Kong XJ
;
Li SS
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
2-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS
NEUTRAL DONORS
BIEXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
Binding energy of excitons bound to neutral donors in two-dimensional semiconductors
期刊论文
chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 7, 页码: 526-528
Liu JJ
;
Li YX
;
Kong XJ
;
Li SS
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
GAAS-ALXGA1-XAS QUANTUM-WELLS
DIRECT-GAP SEMICONDUCTORS
D-CENTERS
PHOTOLUMINESCENCE
BIEXCITONS
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