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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Tunable spin transport in magnetic-electric superlattice 期刊论文 physics letters a, 2006, 卷号: 358, 期号: 5-6, 页码: 470-473 Wei JS (Wei J. S.); Wang RZ (Wang R. Z.); Yuan RY (Yuan R. Y.); Song XM (Song X. M.); Wang B (Wang B.); Yan H (Yan H.) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/04/11 spin transport  superlattice  tunable magnetic-electric  ROOM-TEMPERATURE  BARRIERS  CONDUCTANCE  GAS   Influence of growth parameters of frequency-radio plasma nitrogen source on extending emission wavelengths from 1.31 mu m to 1.55 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1005-1008 作者:  Yang XH 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/04/11 LASERS  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE   Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529 作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Jiang DS;  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2010/04/11 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting III-V materials  MU-M  LASERS  TEMPERATURE  SURFACTANT  NM   Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553 Munoz M; Huang YS; Pollak FH; Yang H 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HEXAGONAL GAN  TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  TRANSITIONS  GROWTH  GAIN  ALN  ELLIPSOMETRY  WURTZITE   Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157 He J; Wang XD; Xu B; Wang ZG; Qu SC 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  InGaAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  morphology  MU-M  WELL STRUCTURES  GAAS  LASERS  TEMPERATURE  STATES  INP   Optical properties of Ge self-organized quantum dots in Si 期刊论文 physical review b, 1998, 卷号: 57, 期号: 15, 页码: 8805-8808 Peng CS; Huang Q; Cheng WQ; Zhou JM; Zhang YH; Sheng TT; Tung CH 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SUPERLATTICES  CONFINEMENT  ISLANDS  SI(001)   THEORY OF THE ELECTRONIC-STRUCTURE OF POROUS SI 期刊论文 physical review b, 1993, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 5179-5186 XIA JB; CHANG YC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 SILICON FILMS  QUANTUM WIRES  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  ORIGIN