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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   Observation of the third subband population in modulation-doped InGaAs/InAlAs heterostructure 期刊论文 chinese physics letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 57-59 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 MULTIPLE-QUANTUM WELLS  PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY  TRANSISTOR STRUCTURES  ELECTRON  TEMPERATURE  DENSITY   The third subband population in modulation-doped InGaAs/InAlAs heterostructures 期刊论文 journal of applied physics, 1997, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: 6107-6109 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 MULTIPLE-QUANTUM WELLS  PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY  TRANSISTOR STRUCTURES  ELECTRON  TEMPERATURE  DENSITY