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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：37/2  |  提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902 Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD 收藏  |  浏览/下载：93/14  |  提交时间：2010/03/08 chemical vapour deposition  elemental semiconductors  energy gap  germanium  Ge-Si alloys  photoluminescence  semiconductor epitaxial layers  semiconductor quantum wells  silicon  tensile strength   Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802 Ruan J; Yu TJ; Jia CY; Tao RC; Wang ZG; Zhang GY 收藏  |  浏览/下载：89/2  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELL LASERS  OPTICAL GAIN  EMISSION  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SPECTRA  ORIGIN  ENERGY   Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-TYPE ZNO  OPTICAL-PROPERTIES  EXCITON FORMATION  PHOTOLUMINESCENCE  FILMS  SPECTROSCOPY  DYNAMICS  IMPURITY  ENERGY   Effect of rapid thermal annealing and hydrogen plasma treatment on the microstructure and light-emission of silicon-rich oxide film 期刊论文 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 7, 页码: 1564-1570 Wang YQ; Chen WD; Chen CY; Diao HW; Zhang SB; Xu YY; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 silicon-rich silicon oxide  microstructure  light-emission  rapid thermal annealing  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  POROUS SILICON  SI  LUMINESCENCE  NANOCRYSTALS  SPECTRA  SYSTEM   Quantum-confined Stark effects of exciton states in V-shaped GaAs/AlxGa1-xAs quantum wires 期刊论文 physical review b, 1998, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 2031-2037 Chang K; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 WELL WIRES  DIMENSIONAL EXCITONS  OPTICAL-PROPERTIES  THRESHOLD CURRENT  ELECTRIC-FIELD  BINDING-ENERGY  DEPENDENCE  ABSORPTION  SPECTRA