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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
1999 [2]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
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The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Ferromagnetic properties in Fe-doped ZnS thin films
期刊论文
optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 2072-2075
Zhu F
;
Dong S
;
Yang GD
收藏
  |  
浏览/下载:38/1
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提交时间:2011/07/06
Fe-doped ZnS
First principles calculation
Ferromagnetic properties
High Curie temperature
OPTICAL-PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
Room Temperature Ferromagnetism of Mn Implanted AlInN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 040202
Majid A
;
Sharif R
;
Ali A
;
Zhu JJ
收藏
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浏览/下载:249/25
  |  
提交时间:2010/03/08
MAGNETIC-PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
GAN
CR
ALLOYS
GROWTH
FILMS
High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541
Yang GW
;
Hwu RJ
;
Xu ZT
;
Ma XY
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
quantum-well lasers
semiconductor diodes
semiconductor epitaxial layers
semiconductor lasers
semiconductor materials
NM DIODE-LASERS
WAVE-GUIDE
AMPLIFIER
FRONT-FACET POWER
Cubic-phase GaN light-emitting diodes
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 17, 页码: 2498-2500
作者:
Han PD
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SEMICONDUCTORS
NITRIDE
GROWTH
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