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半导体研究所 [31]
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2009 [2]
2008 [7]
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2006 [1]
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学科主题
半导体物理 [31]
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学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
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Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:106/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As
会议论文
international magnetics conference (intermag), madrid, spain, may 04-08, 2008
作者:
Gan HD
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2010/03/09
Magnetic analysis
Comparison of short period InAs/GaSb superlattices on GaSb and GaAs substrates
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 23-27
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:212/35
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提交时间:2010/03/08
InAs/GaSb
superlattice
substrates
infrared detector
Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101
作者:
Xu YQ
;
Tang B
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浏览/下载:221/40
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提交时间:2010/03/08
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
HETEROSTRUCTURES
TEMPERATURE
DETECTORS
GAAS(100)
FILMS
INAS
INSB
Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2277-2280
Cui, JP
;
Wang, XF
;
Duan, Y
;
He, JX
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
THIN-FILMS
BULK ZNO
SCATTERING
PRESSURE
Influence of AlN Buffer Thickness on GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100
Lin, GQ
;
Zeng, YP
;
Wang, XL
;
Liu, HX
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/03/08
RHEED
INTERLAYER
PRESSURE
NITRIDES
LAYERS
MBE
Oxygen pressure dependences of structure and properties of ZnO films deposited on amorphous glass substrates by pulsed laser deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 2225-2229 part 1
Zhu, BL
;
Zhao, XZ
;
Xu, S
;
Su, FH
;
Li, GH
;
Wu, XG
;
Wu, J
;
Wu, R
;
Liu, J
收藏
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浏览/下载:42/2
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提交时间:2010/03/08
laser ablation
zinc oxide
deposition process
optical properties
electrical properties and measurements
MOCVD growth of InN using a GaN buffer
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85
作者:
Yang H
;
Wang LL
;
Wang H
;
Yang H
;
Zhu JJ
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浏览/下载:53/1
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提交时间:2010/03/08
surface
Comment on
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: art. no. 156102
Zhou ZW
;
Li C
;
Chen SY
;
Lai HK
;
Yu JZ
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/08
THERMAL-EXPANSION
Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As
期刊论文
ieee transactions on magnetics, 2008, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 2692-2695
作者:
Gan HD
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浏览/下载:174/43
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提交时间:2010/03/08
Magnetic analysis
magnetic semiconductors
molecular-beam epitaxial growth
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