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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [2]
1999 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
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Characteristics of undoped and Sb-doped ZnO thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850
Zhu BL
;
Zhu SJ
;
Zhao XZ
;
Su FH
;
Li GH
;
Wu XG
;
Wu J
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浏览/下载:96/5
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提交时间:2011/07/05
conductivity
doping
photoluminescence
pulsed laser deposition
ZnO
ZINC-OXIDE
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
OXYGEN-PRESSURE
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
VIOLET
GROWTH
FABRICATION
DEPENDENCE
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Role of surface defect states in visible luminescence from oxidized hydrogenated amorphous Si hydrogenated amorphous Ge multilayers
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 25, 页码: 3773-3775
Xu J
;
He ZH
;
Chen KJ
;
Huang XF
;
Feng DA
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Li GH
收藏
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浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2010/08/12
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