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科研机构
半导体研究所 [43]
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期刊论文 [43]
发表日期
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2006 [6]
2003 [1]
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学科主题
半导体物理 [43]
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共43条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:107/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
InGaN/GaN p-i-n Photodiodes Fabricated with Mg-Doped p-InGaN Layer
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107302
Wang H (Wang Hui)
;
Zhu JH (Zhu Ji-Hong)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:158/39
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提交时间:2010/03/08
TRANSPORT CHARACTERISTICS
Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911
作者:
Chen L
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2010/03/08
annealing
gallium arsenide
iron
magnetic anisotropy
magnetic epitaxial layers
magnetisation
molecular beam epitaxial growth
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112
Ma, P
;
Gai, YQ
;
Wang, JX
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Li, JB
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE GAN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
AUGMENTED-WAVE METHOD
VAPOR-PHASE EPITAXY
ELECTRICAL-PROPERTIES
OXYGEN
ACTIVATION
SILICON
Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4300-4304
作者:
Liang S
;
Pan JQ
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/03/08
metal-organic chemical vapour deposition
Electroluminescence from nano-crystalline Si/SiO2 structures embedded in pn junctions
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165
Chen DY
;
Wang X
;
Wei DY
;
Wang T
;
Xu J
;
Ma ZY
;
Li W
;
Chen KJ
;
Shi WH
;
Wang QM
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浏览/下载:95/0
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提交时间:2010/03/08
PECVD
Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As
期刊论文
ieee transactions on magnetics, 2008, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 2692-2695
作者:
Gan HD
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浏览/下载:174/43
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提交时间:2010/03/08
Magnetic analysis
magnetic semiconductors
molecular-beam epitaxial growth
Room-temperature ferromagnetism in zinc-blende and deformed CrAs thin films
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 14, 页码: art.no.142509
作者:
Zheng YH
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MULTILAYER
ABSORPTION
GAAS
CRSB
Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407-1412
Song SF
;
Chen WD
;
Xu ZJ
;
Xu XR
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
Er
Pr-implautation
deep level transient spectroscopy
N-TYPE GAN
DEFECTS
EPITAXY
TRAPS
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
期刊论文
advanced materials forum iii, 2006, 卷号: pts 1 and 2 514-516, 期号: 0, 页码: 18-22
Zhang S
;
Hu Z
;
Raniero L
;
Liao X
;
Ferreira I
;
Fortunato E
;
Vilarinho P
;
Perreira L
;
Martins R
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/11
silicon carbide
high temperature annealing
thin film
SILICON
PECVD
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