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科研机构
半导体研究所 [16]
内容类型
期刊论文 [16]
发表日期
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2009 [2]
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2007 [1]
2004 [1]
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学科主题
半导体物理 [16]
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共16条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Electron spin dynamics in heavily Mn-doped (Ga,Mn)As
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262109
作者:
Chen L
;
Zhang XH
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE
GAAS
Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600
作者:
Zhang XH
收藏
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2010/04/28
Ultrathin InAs monolayer
Hole spin relaxation
DP mechanism
SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
WELLS
GAAS
Spin relaxation and dephasing mechanism in (Ga,Mn)As studied by time-resolved Kerr rotation
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 142109
作者:
Zhang XH
;
Chen L
收藏
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浏览/下载:111/22
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提交时间:2010/03/08
Curie temperature
ferromagnetic materials
gallium compounds
Kerr magneto-optical effect
magnetic relaxation
magnetic thin films
manganese compounds
semimagnetic semiconductors
spin dynamics
time resolved spectra
Spin dynamics of electrons in the first excited subband of a high-mobility low-density two-dimensional electron system
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 19, 页码: art.no.193301
Luo HH (Luo Haihui)
;
Qian X (Qian Xuan)
;
Ruan XZ (Ruan Xuezhong)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Umansky V (Umansky Vladimir)
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浏览/下载:264/47
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
收藏
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浏览/下载:218/56
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提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Effect of electron-electron scattering on spin dephasing in a high-mobility low-density two-dimensional electron gas
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 19, 页码: art. no. 193307
Ruan, XZ
;
Luo, HH
;
Ji, Y
;
Xu, ZY
;
Umansky, V
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELL
SYSTEMS
GAAS
SEMICONDUCTORS
RELAXATION
Neutron irradiation effect in two-dimensional electron gas of AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1045-1048
Zhang, ML
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
收藏
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浏览/下载:53/3
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提交时间:2010/03/08
TRANSPORT
PROTON
HEMTS
Memory effect in a system of zincblende Mn-rich Mn(Ga)As nanoclusters embedded in GaAs
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 20, 页码: art.no.202503
Wang WZ
;
Deng JJ
;
Lu J
;
Sun BQ
;
Zhao JH
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/03/29
SEMICONDUCTORS
Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362-4366
Lu, W
;
Li, DB
;
Li, CR
;
Shen, F
;
Zhang, Z
收藏
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浏览/下载:303/45
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提交时间:2010/03/09
CRITICAL LAYER THICKNESS
A study of the growth and optical properties of AlInGaN alloys
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637
Huang JS
;
Dong X
;
Lu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
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浏览/下载:265/14
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提交时间:2010/08/12
AlInGaN
MOCVD
localized exitons
quantum dots
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LUMINESCENCE
RELAXATION
SILICON
GAN
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