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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2001 [2]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:38/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 041001
作者:
Hao GD
收藏
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浏览/下载:131/28
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提交时间:2010/03/08
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
QUANTUM-WELLS
LASER-DIODES
ORIENTATION
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
ANISOTROPY
SEMIPOLAR
SAPPHIRE
FILMS
Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107
Wang, BR
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Dou, XM
;
Xu, ZY
;
Wang, ZM
;
Salamo, GJ
收藏
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浏览/下载:104/2
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZED STATES
ISLANDS
WIRES
SUPERLATTICES
ORGANIZATION
GAAS(100)
EXCITONS
GROWTH
DECAY
GAAS
Properties and turning of intraband optical absorption in InxGa1-xAs/GaAs self-assembled quantum dot superlattice
期刊论文
international journal of modern physics b, 2001, 卷号: 15, 期号: 13, 页码: 1959-1968
Liu B
;
Zhuang QD
;
Yoon SF
;
Dai JH
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang HJ
收藏
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浏览/下载:134/25
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提交时间:2010/08/12
INFRARED PHOTODETECTORS
ELECTRONIC-STRUCTURE
HETEROSTRUCTURES
DEPENDENCE
THRESHOLD
OPERATION
LASERS
WELL
Exciton localization in In0.15Ga0.85As/GaAs quantum wire structures grown on (553)B-oriented GaAs substrate
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5111-5114
Liu BL
;
Liu B
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:118/11
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CORRUGATED GAAS/ALAS SUPERLATTICES
RADIATIVE LIFETIMES
WELLS
RECOMBINATION
SURFACES
DEPENDENCE
DOTS
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