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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2003 [2]
2002 [1]
1999 [1]
1991 [1]
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学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
Jiang XW
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浏览/下载:52/2
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
DESIGN
MODELS
Weak measurement of qubit oscillations with strong response detectors: Violation of the fundamental bound imposed on linear detectors
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: art. no. 075320
Jiao HJ
;
Li F
;
Wang SK
;
Li XQ
收藏
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浏览/下载:372/122
  |  
提交时间:2010/03/08
mesoscopic systems
photodetectors
quantum computing
single electron transistors
Numerical simulation of nc-Si : H/c-Si heterojunction solar cells
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 217-224
Hu ZH
;
Liao XB
;
Zeng XB
;
Xu YY
;
Zhang SB
;
Diao HW
;
Kong GL
收藏
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浏览/下载:60/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nc-Si : H/c-Si hetero-junction
solar cell
computer simulation
SILICON HETEROJUNCTION
LAYER
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
期刊论文
microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
Numerical analysis of LEC growth of GaAs with an axial magnetic field
期刊论文
international journal of heat and mass transfer, 2002, 卷号: 45, 期号: 13, 页码: 2843-2851
Li MW
;
Hu WR
;
Chen NH
;
Zeng DL
;
Tang ZM
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
liquid encapsulant Czochralski (LEC)
growth of GaAs
magnetic field finite-element method
boron oxide
CRYSTAL-GROWTH
HEAT-TRANSFER
CONVECTION
FLOW
SIMULATION
MODEL
First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2)
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1999, 卷号: 426, 期号: 1, 页码: 38-46
Li Z
;
Dezilllie B
;
Eremin V
;
Li CJ
;
Verbitskaya E
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/08/12
strip detectors
silicon detectors
annealing
simulation
irradiation
JUNCTION DETECTORS
RADIATION-DAMAGE
MODELS
N-EFF
THE STUDY OF MICROSTRUCTURE IN IRON-DOPED AND SULFUR-DOPED INP CRYSTALS BY MEANS OF HREM AND COMPUTER-SIMULATION
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 1991, 卷号: 3, 期号: 36, 页码: 7069-7072
WANG LC
;
LI Q
;
YU SD
;
ZHENG JG
;
WEI M
;
FENG D
;
CHU YM
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
GAAS
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