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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2011 [1]
2006 [2]
2001 [1]
1999 [1]
1998 [1]
1997 [1]
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学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Strong up-conversion emissions in ZnO:Er3+, ZnO:Er3+-Yb3+ nanoparticles and their surface modified counterparts
期刊论文
journal of colloid and interface science, 2011, 卷号: 358, 期号: 2, 页码: 334-337
作者:
Li JB
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浏览/下载:56/5
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提交时间:2011/07/05
Sol-gel
ZnO:Er-Yb nanoparticles
Up-conversion
Core/shell
Three-photon processes
NANOCRYSTALLINE YTTRIA
OPTICAL SPECTROSCOPY
GLASSES
LUMINESCENCE
TEMPERATURE
ER3+
YB3+
GREEN
FILMS
OXIDE
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
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浏览/下载:88/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529
作者:
Wu DH
;
Niu ZC
;
Jiang DS
;
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:82/0
  |  
提交时间:2010/04/11
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting III-V materials
MU-M
LASERS
TEMPERATURE
SURFACTANT
NM
Multiplicity factor and diffraction geometry factor for single crystal X-ray diffraction analysis and measurement of phase content in cubic GaN/GaAs(001) epilayers
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 497-503
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Han JY
;
Liu S
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:106/6
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提交时间:2010/08/12
four-circle diffraction
GaN
phase content
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
GROWTH
STABILITY
RATIO
Red luminescence from self-assembled InAlAs AlGaAs quantum dots with bimodal size distribution
期刊论文
chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 298-300
作者:
Xu B
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
PHOTOLUMINESCENCE
GE
TEMPERATURE
ENSEMBLES
SI(100)
GROWTH
SHAPE
Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100)
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 24, 页码: 3518-3520
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
COHERENT ISLANDS
GROWTH
DOTS
DISLOCATIONS
TEMPERATURE
MECHANISMS
SI(001)
INGAAS
The third subband population in modulation-doped InGaAs/InAlAs heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 1997, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: 6107-6109
作者:
Xu B
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY
TRANSISTOR STRUCTURES
ELECTRON
TEMPERATURE
DENSITY
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