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半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
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半导体物理 [12]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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High Quality Pseudomorphic In-0.24 GaAs/GaAs Multi-Quantum-Well and Large-Area Transmission Electro-Absorption Modulators
期刊论文
chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 046102
Yang Xiao-Hong
;
Liu Shao-Qing
;
Ni Hai-Qiao
;
Li Mi-Feng
;
Li Liang
;
Han Qin
;
Niu Zhi-Chuan
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/09/17
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:
Wang Y
;
Pan JQ
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浏览/下载:113/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
WAVE-GUIDE CIRCUIT
DOUBLE HETEROSTRUCTURES
SILICON SUBSTRATE
CW OPERATION
WAFER
DEVICES
FILMS
Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310
作者:
Ye XL
;
Pan JQ
;
Liang S
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浏览/下载:128/30
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MULTIATOMIC STEPS
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
EPITAXY
Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112
Ma, P
;
Gai, YQ
;
Wang, JX
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Li, JB
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE GAN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
AUGMENTED-WAVE METHOD
VAPOR-PHASE EPITAXY
ELECTRICAL-PROPERTIES
OXYGEN
ACTIVATION
SILICON
Continuous-wave operation of GaN based multi-quantum-well laser diode at room temperature
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1281-1283
作者:
Ji L
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
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浏览/下载:61/5
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提交时间:2010/03/08
Magneto-transport characteristics of two-dimensional electron gas for Si delta-doped InAlAs/InGaAs single quantum well
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 2044-2048
Zhou WZ
;
Yao W
;
Zhu B
;
Qiu ZJ
;
Guo SL
;
Lin T
;
Cui LJ
;
Gui YS
;
Chu JH
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/04/11
InAlAs/InGaAs single quantum well
SdH oscillation
two-dimensional electron gas
magneto-intersubband scattenng
ALLOY SCATTERING
HETEROJUNCTIONS
HEMTS
OSCILLATIONS
TRANSPORT
Comparative study for colloidal quantum dot conduction band state calculations
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 14, 页码: art.no.143108
Luo JW
;
Li SS
;
Xia JB
;
Wang LW
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
ELECTRONIC-STRUCTURE
SI NANOCRYSTALS
LEVEL STRUCTURE
P METHOD
CONFINEMENT
CLUSTERS
Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1140-1145
Gong Z
;
Niu ZC
;
Fang ZD
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM-DOT SUPERLATTICES
VICINAL GAAS(001)
GAAS
WIRES
POLARIZATION
GROWTH
WELLS
TEMPERATURE
MECHANISM
Room temperature 1.25 mu m emission from high indium content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 728-733
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/03/17
strain
Novel coupled multi-active region high power semiconductor lasers cascaded via tunnel junction
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2374-2377
Lian P
;
Yin T
;
Gao G
;
Zou DS
;
Chen CH
;
Li JJ
;
Shen GD
;
Ma XY
;
Chen LH
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductor lasers
high power
MOCVD
OPERATION
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