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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 One-Dimensional InP-Based Photonic Crystal Quantum Cascade Laser Emitting at 5.36μm 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1278-1280 作者:  Li Lu;  Liu Junqi 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Wide-Band Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifier Gate with Tensile-Strained Quasi-Bulk InGaAs 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 898-902 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/23 Graded tensile-strained bulk InGaAs/InP superluminescent diode with very wide emission spectrum 期刊论文 chinese optics letters, 2004, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 359-361 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  quantum dots  strain  molecular beam epitaxy  superluminescent diodes  1.3 MU-M  HIGH-POWER  INTEGRATED ABSORBER  INAS ISLANDS  SPECTRUM  WINDOW  LAYER  SIZE   Long period two-dimensional gratings for 8-12 mu m quantum well infrared photodetectors 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 80, 期号: 12, 页码: 7169-7171 Pan D; Li JM; Zeng YP; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/17